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KHG75H12E4L 8MHz módulo IGBT de alta tensión de alta frecuencia Distribución de energía en las industrias

KHG75H12E4L 8MHz módulo IGBT de alta tensión de alta frecuencia Distribución de energía en las industrias

Nombre De La Marca:	Krunter
Número De Modelo:	Se aplican las siguientes condiciones:
MOQ:	1
Precio:	Negociable
Condiciones De Pago:	Negociable
Capacidad De Suministro:	Negociable

Información detallada

Descripción de producto

Información detallada

Lugar de origen:

porcelana

Product:

IGBT Module

Output Type:

Rail to Rail

Date Code:

Newest code

Maximum Clock Frequency:

8 MHz

Maximum Junction Temperature:

175°C

Input Voltage Range:

4.5 V to 18 V

Warranty:

365days

Stock:

100PCS

Operating Temperature:

-40 to +125

Configuration:

6-Pack

Maximum Collector Current:

Factory Packing Quantity:

Moisture Sensitive:

Collector-Emitter Saturation Voltage:

Feature:

High current

Detalles de empaquetado:

Embalaje estándar

Capacidad de la fuente:

Negociable

Resaltar:

Modulo IGBT KHG75H12E4L

Modulo IGBT de 8 MHz

Módulo de potencia igbt de alta frecuencia

Descripción de producto

Modulo IGBT KHG75H12E4L para la distribución de energía de alta tensión y alta frecuencia en la industria

Se aplican las siguientes condiciones:

Tecnología NPT IGBT
Capacidad de cortocircuito de 10 μs
Bajas pérdidas de cambio
VCE (sat) con coeficiente de temperatura positivo
Cuadrado RBSOA
Cuadro de baja inductancia
Recuperación inversa rápida y suave FWD paralelo
Base de cobre aislada con tecnología DBC

Aplicación	Diagrama del circuito interno
Máquinas de soldadura Las demás máquinas Calentamiento por inducción Máquinas de corte de plasma

Parámetros de las especificaciones

Tipo de producto	VCES Voltios	VGES Voltios	IC Amperios	VCE (SAT) Voltios	(EON + EOFF) - ¿ Qué?	TJ, el Sr.	Ptot Vatio	Circuito	Paquete	Tecnología

Se trata de un sistema de control de velocidad.	Las demás:	± 20	50A	2.90V	6.9mJ	150 °C	408	4 Envases	Se trata de una prueba de la calidad de los productos.	El TNP
El número de unidades de producción es el siguiente:	Las demás:	± 20	Las demás:	2.90V	11.8mJ	150 °C	595	4 Envases		El TNP

KHG75H12E4L 8MHz módulo IGBT de alta tensión de alta frecuencia Distribución de energía en las industrias 2

Etiquetas:

Mecanizado CNC

Mecanizado de la carcasa del enchufe de ensayo BGA

Conexión de ensayo

Soquete de ensayo de portador de azimut

Conector de prueba personalizado

Conector de prueba de Loranger

Inyección que moldea

El moldeado

Inyección

Material de plástico

Componente electrónico

Electrolisis del plomo

Condensador de electrólisis en forma de cuerno

Capacitador electrolítico de montaje superficial

Electrolisadores de óxidos sólidos

El pin

El PIN de POGO

Puntas de prueba

Pín de inclinación

Pin del receptáculo

Módulo de IGBT

Microscopio pequeño

Mecanizado CNC

Mecanizado de la carcasa del enchufe de ensayo BGA

Conexión de ensayo

Soquete de ensayo de portador de azimut

Conector de prueba personalizado

Conector de prueba de Loranger

Inyección que moldea

El moldeado

Inyección

Material de plástico

Componente electrónico

Electrolisis del plomo

Condensador de electrólisis en forma de cuerno

Capacitador electrolítico de montaje superficial

Electrolisadores de óxidos sólidos

El pin

El PIN de POGO

Puntas de prueba

Pín de inclinación

Pin del receptáculo

Módulo de IGBT

Microscopio pequeño

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KHG75H12E4L 8MHz módulo IGBT de alta tensión de alta frecuencia Distribución de energía en las industrias

Modulo IGBT KHG75H12E4L

Modulo IGBT de 8 MHz

Módulo de potencia igbt de alta frecuencia

Se aplican las siguientes condiciones:

Aplicación

Diagrama del circuito interno

Parámetros de las especificaciones