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Modulo IGBT de baja VCE sat y corriente de cortocircuito para y bajas pérdidas de conmutación KUG100H12S4L

Modulo IGBT de baja VCE sat y corriente de cortocircuito para y bajas pérdidas de conmutación KUG100H12S4L

Nombre De La Marca:	Krunter
Número De Modelo:	KUG100H12S4L

Información detallada

Descripción de producto

Información detallada

Place of Origin:

China

Technology:

Collector-Emitter Saturation Voltage:

Collector-Emitter Capacitance:

100pF

Installation Style:

SMD/SMT

Product:

Diode Power Modules

Manufacturer:

Warranty:

365days

Power Dissipation:

Subcategory:

Interface ICs

Lead Times:

Immediately Shipment

Voltage Rating:

1200V

Dimensions:

106.4*61.4*30.5mm

Moisture Sensitive:

Resaltar:

Módulo IGBT de corriente de cortocircuito

Módulo IGBT con baja VCE

Modulo IGBT con bajas pérdidas de conmutación

Descripción de producto

VCE bajo (sat)
Corriente de cortocircuito de 10 μs
Bajas pérdidas por cambio
Coeficiente de temperatura VCE (sat) positivo
Diodos de ruedas libres con baja caída de voltaje hacia adelante y recuperación suave
Paquete estándar industrial con placa base de cobre

Diagrama del circuito interno

Parámetros de las especificaciones

Tipo de producto	VCES	VGES	IC	VCE (SAT)	(EON + EOFF)	TJ, el Sr.	Ptot	Circuito	Paquete	Tecnología
Tipo de producto	Voltios	Voltios	Amperios	Voltios	- ¿ Qué?	TJ, el Sr.	Vatio	Circuito	Paquete	Tecnología
Se trata de un producto de la categoría "A"	Las demás:	± 20	40A	2.80V	7.2 mJ	150 °C	250 W	2 Envases	34 mm	El TNP
Se aplicará el procedimiento siguiente:	Las demás:	± 20	50A	2.80V	7.2 mJ	150 °C	285W	2 Envases
Se aplicará el procedimiento siguiente:	Las demás:	± 20	Las demás:	2.80V	10.6 mJ	150 °C	395W	2 Envases
Se trata de un producto de la familia de los derivados.	Las demás:	± 20	Las demás:	3.10V	13.4 mJ	150 °C	555W	2 Envases
Se aplicará el procedimiento siguiente:	Las demás:	± 20	Las demás:	2.80V	17.0 mJ	150 °C	790 W	2 Envases
Se trata de un producto de la familia de los derivados de la leche.	Las demás:	± 20	40A	2.10V	8.8mJ	175 °C	250 W	2 Envases		En las trincheras
Se aplican las siguientes condiciones:	Las demás:	± 30	50A	1.65V	10.1 mJ	175 °C	285W	2 Envases
Se trata de un producto de la familia de los derivados de la leche.	Las demás:	± 30	Las demás:	1.65V	18.0 mJ	175 °C	395W	2 Envases
Se trata de un producto de la familia de los derivados de la leche.	Las demás:	± 30	Las demás:	1.65V	24.8mJ	175 °C	555W	2 Envases
Se aplicará el procedimiento siguiente:	Las demás:	± 20	40A	2.10V	8.4 mJ	175 °C	250 W	2 Envases		En la zanja muy rápido.
Se aplicará el procedimiento siguiente:	Las demás:	± 20	50A	2.25V	9.4 mJ	175 °C	285W	2 Envases
Se aplicará el procedimiento siguiente:	Las demás:	± 20	Las demás:	2.00V	14.0 mJ	175 °C	395W	2 Envases
Se aplicará el procedimiento siguiente:	Las demás:	± 20	Las demás:	1.90V	19.5 mJ	175 °C	555W	2 Envases
Se aplicará el procedimiento siguiente:	Las demás:	± 20	Las demás:	1.90V	27.8mJ	175 °C	790 W	2 Envases

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Etiquetas:

Mecanizado CNC

Mecanizado de la carcasa del enchufe de ensayo BGA

Conexión de ensayo

Soquete de ensayo de portador de azimut

Conector de prueba personalizado

Conector de prueba de Loranger

Inyección que moldea

El moldeado

Inyección

Material de plástico

Componente electrónico

Electrolisis del plomo

Condensador de electrólisis en forma de cuerno

Capacitador electrolítico de montaje superficial

Electrolisadores de óxidos sólidos

El pin

El PIN de POGO

Puntas de prueba

Pín de inclinación

Pin del receptáculo

Módulo de IGBT

Microscopio pequeño

Mecanizado CNC

Mecanizado de la carcasa del enchufe de ensayo BGA

Conexión de ensayo

Soquete de ensayo de portador de azimut

Conector de prueba personalizado

Conector de prueba de Loranger

Inyección que moldea

El moldeado

Inyección

Material de plástico

Componente electrónico

Electrolisis del plomo

Condensador de electrólisis en forma de cuerno

Capacitador electrolítico de montaje superficial

Electrolisadores de óxidos sólidos

El pin

El PIN de POGO

Puntas de prueba

Pín de inclinación

Pin del receptáculo

Módulo de IGBT

Microscopio pequeño

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Módulo IGBT de corriente de cortocircuito

Módulo IGBT con baja VCE

Modulo IGBT con bajas pérdidas de conmutación

Diagrama del circuito interno

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