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Módulo IGBT de baja VCE sat y corriente de cortocircuito para y bajas pérdidas de conmutación

Módulo IGBT de baja VCE sat y corriente de cortocircuito para y bajas pérdidas de conmutación

Nombre De La Marca:	Krunter
Número De Modelo:	KUG75H12 W4L

Información detallada

Descripción de producto

Información detallada

Place of Origin:

China

Technology:

Collector-Emitter Saturation Voltage:

1.5V

Collector-Emitter Capacitance:

100pF

Installation Style:

SMD/SMT

Product:

Diode Power Modules

Manufacturer:

PRX

Warranty:

365days

Power Dissipation:

500W

Subcategory:

Interface ICs

Lead Times:

Immediately Shipment

Voltage Rating:

1200V

Dimensions:

106.4*61.4*30.5mm

Moisture Sensitive:

YES

Resaltar:

Módulo IGBT de corriente de cortocircuito

Módulo IGBT con baja VCE

Modulo IGBT con bajas pérdidas de conmutación

Descripción de producto

VCE bajo (sat)
Corriente de cortocircuito de 10 μs
Bajas pérdidas por cambio
Coeficiente de temperatura VCE (sat) positivo
Diodos de ruedas libres con baja caída de voltaje hacia adelante y recuperación suave
Paquete estándar industrial con placa base de cobre

Diagrama del circuito interno

Parámetros de las especificaciones

Tipo de producto	VCES	VGES	IC	VCE (SAT)	(EON + EOFF)	TJ, el Sr.	Ptot	Circuito	Paquete	Tecnología
Tipo de producto	Voltios	Voltios	Amperios	Voltios	- ¿ Qué?	TJ, el Sr.	Vatio	Circuito	Paquete	Tecnología
Se trata de un producto de la categoría "A"	Las demás:	± 20	40A	2.80V	7.2 mJ	150 °C	250 W	2 Envases	34 mm	El TNP
Se aplicará el procedimiento siguiente:	Las demás:	± 20	50A	2.80V	7.2 mJ	150 °C	285W	2 Envases
Se aplicará el procedimiento siguiente:	Las demás:	± 20	Las demás:	2.80V	10.6 mJ	150 °C	395W	2 Envases
Se trata de un producto de la familia de los derivados.	Las demás:	± 20	Las demás:	3.10V	13.4 mJ	150 °C	555W	2 Envases
Se aplicará el procedimiento siguiente:	Las demás:	± 20	Las demás:	2.80V	17.0 mJ	150 °C	790 W	2 Envases
Se trata de un producto de la familia de los derivados de la leche.	Las demás:	± 20	40A	2.10V	8.8mJ	175 °C	250 W	2 Envases		En las trincheras
Se aplican las siguientes condiciones:	Las demás:	± 30	50A	1.65V	10.1 mJ	175 °C	285W	2 Envases
Se trata de un producto de la familia de los derivados de la leche.	Las demás:	± 30	Las demás:	1.65V	18.0 mJ	175 °C	395W	2 Envases
Se trata de un producto de la familia de los derivados de la leche.	Las demás:	± 30	Las demás:	1.65V	24.8mJ	175 °C	555W	2 Envases
Se aplicará el procedimiento siguiente:	Las demás:	± 20	40A	2.10V	8.4 mJ	175 °C	250 W	2 Envases		En la zanja muy rápido.
Se aplicará el procedimiento siguiente:	Las demás:	± 20	50A	2.25V	9.4 mJ	175 °C	285W	2 Envases
Se aplicará el procedimiento siguiente:	Las demás:	± 20	Las demás:	2.00V	14.0 mJ	175 °C	395W	2 Envases
Se aplicará el procedimiento siguiente:	Las demás:	± 20	Las demás:	1.90V	19.5 mJ	175 °C	555W	2 Envases
Se aplicará el procedimiento siguiente:	Las demás:	± 20	Las demás:	1.90V	27.8mJ	175 °C	790 W	2 Envases

Módulo IGBT de baja VCE sat y corriente de cortocircuito para y bajas pérdidas de conmutación 1

Etiquetas:

Modulo de transistores

Módulo de IGBT

Módulo de potencia IGBT

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El moldeado

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El pin

El PIN de POGO

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Pín de inclinación

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Módulo de IGBT

Microscopio pequeño

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